CN2018100268329
2018-01-11
发明专利
生长在铜箔衬底上的InN纳米柱外延片及其制备方法
华南理工大学
已授权
本发明属于氮化物半导体器件技术领域,公开了生长在铜箔衬底上的InN纳米柱外延片及其制备方法。生长在铜箔衬底上的InN纳米柱外延片由下至上依次包括铜箔衬底、In?Cu合金化金属层和InN纳米柱层。方法为(1)预处理;(2)采用分子束外延生长工艺,在铜箔衬底上沉积In,退火,得到In?Cu合金化金属;(3)采用分子束外延生长工艺,衬底温度控制在400~700℃,在反应室的压力为4.0~10.0×10?5Torr,V/III束流比值为20~40条件下,生长InN纳米柱。本发明的纳米柱直径均一,晶体质量高,减少了InN纳米柱外延层的缺陷密度,提高了载流子的辐射复合效率,提高氮化物器件发光效率。