本发明公开了用于薄膜晶体管的氧化物半导体薄膜及其制备方法，该氧化物半导体薄膜材料成分为：（Ａｌ２Ｏ３）ｘ（Ｎｄ２Ｏ３）ｙ（Ｉｎ２Ｏ３）ｚ（ＺｎＯ）（１－ｘ－ｙ－ｚ），其中，０．００８≤ｘ≤０．０２３，０．００３≤ｙ≤０．０５，０．３２２≤ｚ≤０．３２７，该氧化物半导体薄膜材料用于制作薄膜晶体管的有源层。这种氧化物半导体薄膜可以用溅射方法制备。本发明的氧化物半导体薄膜具有载流子迁移率高、稳定性好、可以透射可见光等优点，这种氧化物半导体薄膜可以用于制备薄膜晶体管，包括所发明的氧化物半导体薄膜的晶体管可以应用在有机发光显示（ＯＬＥＤ）、液晶显示（ＬＣＤ）、电子纸显示等驱动方面，还可以应用在集成电路领域。